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IPP13N03LBG

Infineon Technologies TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IPP13N03LBG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1355pF @ 15V
功率 - 最大值:52W
安装类型:通孔

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