收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP120N06S4-03
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPP120N06S4-03

Infineon Technologies TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP120N06S4-03相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP120N06S4-H1 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP126N10N3G Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP12CN10LG Infineon Technologies TO-220-3 455 MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPP120N06S4-02 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP120N06NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 75A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP120N04S4-02 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPP120N06S4-03参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 120µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13150pF @ 25V
功率 - 最大值:167W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别