收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPI90R1K2C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPI90R1K2C3

Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPI90R1K2C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPI90R340C3 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 900V 15A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI90R500C3 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 450 MOSFET N-CH 900V 11A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI90R800C3 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI90R1K0C3 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI90N06S4L-04 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPI90N06S4-04 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPI90R1K2C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 310µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):710pF @ 100V
功率 - 最大值:83W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别