收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPI80P03P4L-07
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPI80P03P4L-07

Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPI80P03P4L-07相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPI90N04S4-02 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI90N06S4-04 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI90N06S4L-04 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPI80P03P4L-04 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPI80N08S2-07 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI80N06S4L-07 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPI80P03P4L-07参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.2 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5700pF @ 25V
功率 - 最大值:88W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别