收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPI126N10N3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPI126N10N3G

Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPI126N10N3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPI12CN10NG Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI12CNE8NG Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI139N08N3G Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI120N06S4-H1 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI120N06S4-03 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI120N06S4-02 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPI126N10N3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):58A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.6 毫欧 @ 46A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 50V
功率 - 最大值:94W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别