收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPI070N06NG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPI070N06NG

Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPI070N06NG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPI070N08N3G Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI072N10N3G Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 500 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI075N15N3G Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI06N03LA Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPI06CN10NG Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI05N03LA Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPI070N06NG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 180µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):118nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4100pF @ 30V
功率 - 最大值:250W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别