收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPD90N06S4L-03
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPD90N06S4L-03

Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与IPD90N06S4L-03相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPD90N06S4L-05 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPD90N06S4L-06 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPD90P03P4-04 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPD90N06S4-07 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPD90N06S4-05 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPD90N06S4-04 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPD90N06S4L-03参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13000pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别