| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD60R1K4C6 |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 9564 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD60R2K0C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 9380 | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R380C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R385CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD600N25N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 11297 | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPD5N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD530N15N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
