| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD50R520CP |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD50R650CE | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD50R800CE | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N CH 500V 5A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD50R950CE | Infineon Technologies | 7500 | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252 | ... | |
| IPD50R500CE | Infineon Technologies | 7500 | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 | ... | |
| IPD50R399CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 550V 9A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD50R380CE | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
