| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD50N04S4-10 |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柣鎴ｅГ閸婂潡鏌ㄩ弴妤€浜惧銈庝簻閸熸潙鐣疯ぐ鎺濇晪闁告侗鍨伴弫鎼佹⒒娓氣偓閳ь剛鍋涢懟顖涙櫠閹殿喚纾奸弶鍫涘妼濞搭喗顨ラ悙瀛樺磳妤犵偞甯掗埞鎴﹀醇濠靛洤鈧垶姊婚崒娆愮グ妞ゆ洘鐗犲畷褰掝敍閻愭潙鈧潡鏌ㄩ弬鍨挃闁活厼顦甸弻鐔兼倻濡崵鍘搁梺绋款儐閹瑰洭寮幇顓熷劅闁炽儴灏欓崙瑙勭節閻㈤潧浠滈柟鍐茬箻閹囨偐瀹割喗缍庨梺鎯х箺椤鐣锋径鎰厪濠电偛鐏濋崝婊堟煟濠靛嫬鐏叉慨濠冩そ閹兘寮堕幐搴敤闂備胶鎳撻崵鏍箯閿燂拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD50N04S4L-08 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD50N06S2-14 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD50N06S2L-13 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD50N04S4-08 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD50N04S3-09 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD50N04S3-08 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
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