型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD060N03LG |
Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 11914 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPD068N10N3G | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPD068P03L3G | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 2500 | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IPD06N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPD05N03LBG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPD05N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPD053N08N3G | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |