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IPD042P03L3G

Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2653
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简述:MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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IPD042P03L3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):70A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 70A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):175nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):12400pF @ 15V
功率 - 最大值:150W
安装类型:表面贴装

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