收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPB80N06S4L-05
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPB80N06S4L-05

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IPB80N06S4L-05相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPB80N06S4L-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N08S2-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N08S2L-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S4-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S4-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S3L-06 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPB80N06S4L-05参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 60µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8180pF @ 25V
功率 - 最大值:107W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别