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IPB80N06S2L-H5

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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简述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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IPB80N06S2L-H5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):190nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5000pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

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