| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IPB65R660CFD |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2652 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB70N04S4-06 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB65R600C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB65R420CFD | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB65R380C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
