| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB47N10S-33 |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 7000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 5000 | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPB50CN10NG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 3000 | MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPB45N06S4L-08 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB45N06S4-09 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
