| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB065N15N3G |
Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 1000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPB065N15N3GE8187 | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB067N08N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB06CN10NG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB065N06LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB065N03LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPB05N03LBG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
