| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPA65R190E6 |
Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPA65R280C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 486 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPA65R280E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 508 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPA65R310CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPA65R190CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 210 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPA65R190C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPA65R110CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
