收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPA60R250CP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPA60R250CP

Infineon Technologies TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPA60R250CP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPA60R280C6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 1000 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R280E6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R299CP Infineon Technologies TO-220-3 整包 405 MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R199CP Infineon Technologies TO-220-3 整包 260 MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R190E6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 430 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPA60R190C6 Infineon Technologies TO-220-3 整包 1109 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPA60R250CP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 100V
功率 - 最大值:33W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别