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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > IMD9AT108
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IMD9AT108

Rohm Semiconductor SC-74,SOT-457 15000 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:TRANS PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IMD9AT108参数资料

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晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):68 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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