收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IKW03N120H2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IKW03N120H2

Infineon Technologies TO-247-3
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
参考包装数量:240
参考包装形式:管件

与IKW03N120H2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IKW08T120 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 16A 70W TO247-3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120...
IKW15N120H3 Infineon Technologies TO-247-3 404 IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
IKW15N120T2 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 1200V 30A 235W TO247-3 IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ...
IKU15N60R Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA IGBT 600V 30A 250W TO251-3 IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IKU10N60R Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA IGBT 600V 20A 150W TO251-3 IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IKU06N60R Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA IGBT 600V 12A 100W TO251-3 IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...

IKW03N120H2参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.8V @ 15V,3A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):9.6A
功率 - 最大:62.5W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别