收藏本站

闁荤姳闄嶉崹濂稿窗濮椻偓閹姤鎷呴崘顏呪枔闂佹寧鍐婚幏锟�0755-83217923 闂佸憡绮岄張顒勫垂濠婂牆纭€闁惧浚鍋呴ˇ褍霉濠у灝鈧盯鎯冮敓锟�
首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IKP10N60T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IKP10N60T

Infineon Technologies TO-220-3 闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣櫖闁跨噦鎷�0755-83217923
询价QQ:闂佸憡绮岄張顒勫垂濠婂牆纭€闁惧浚鍋呴ˇ褍霉濠у灝鈧盯鎯冮敓锟�
简述:IGBT 600V 20A 110W TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IKP10N60T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IKP15N60T Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 30A 130W TO220-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IKP20N60H3 Infineon Technologies TO-220-3 500 IGBT 600V 20A 170W TO220-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IKP20N60T Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 40A 166W TO220-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IKP06N60T Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 12A 88W TO220-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IKP04N60T Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 8A 42W TO220-3 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
IKP03N120H2 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...

IKP10N60T参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

IGBT 类型:NPT、沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.05V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):20A
功率 - 最大:110W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别