| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IKD10N60RF |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IKD15N60R | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 600V 30A 250W TO252-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| IKD15N60RA | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 600V 15A 241W TO252-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| IKD15N60RF | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... | |
| IKD10N60RA | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 600V 10A 154W TO252-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| IKD10N60R | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| IKD06N60RF | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
