| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IKD04N60R |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 10000 | 询价QQ： |
|
| 简述：IGBT 600V 8A 75W TO252-3 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IKD04N60RF | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | IGBT 600V 4A 75.0W TO252-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| IKD06N60R | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | IGBT 600V 12A 100W TO252-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| IKD06N60RA | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 600V 6A 102W TO252-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| IKD03N60RF | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | IGBT 600V 2.5A 53.6W TO252-3 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| IKB20N60T | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT 600V 40A 166W TO263-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... | |
| IKB20N60H3 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | IGBT 600V 20A 170W TO263-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
