| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IGB50N60T |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
||
| 简述：IGBT 600V 100A 333W TO263-3 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IGD01N120H2 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | |
| IGD06N60T | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... | |
| IGP01N120H2 | Infineon Technologies | TO-220-3 | IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | |
| IGB30N60T | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT 600V 30A 187W TO263-3-2 | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| IGB30N60H3 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | IGBT 600V 30A 187W TO263-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
| IGB20N60H3 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT 600V 20A 170W TO263-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
