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IDT70V659S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA
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简述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IDT70V659S12DR IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP 7 IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:4....
IDT70V659S12DRGI IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:4....
IDT70V659S12DRGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:4....
IDT70V659S12BFI IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:4....
IDT70V659S12BFGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:4....
IDT70V659S12BFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:4....

IDT70V659S12BFI8参数资料

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格式 - 存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 双端口,异步
存储容量:4.5M(128K x 36)
速度:12ns
接口:并联
电源电压:3.15 V ~ 3.45 V
工作温度:-40°C ~ 85°C

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