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IDT70V658S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA
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简述:IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA
参考包装数量:7
参考包装形式:托盘

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IDT70V658S12BFGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:2M...
IDT70V658S12BFI IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:2M...
IDT70V658S12BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:2M...
IDT70V658S12BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:2M...
IDT70V658S12BF IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:2M...
IDT70V658S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:2M...

IDT70V658S12BFGI参数资料

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格式 - 存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 双端口,异步
存储容量:2M(64K x 36)
速度:12ns
接口:并联
电源电压:3.15 V ~ 3.45 V
工作温度:-40°C ~ 85°C

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