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首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > HVC358BTRF-E
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HVC358BTRF-E

Renesas Electronics America SC-79,SOD-523
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简述:DIODE VCO VAR CAP 15V UFP
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与HVC358BTRF-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HVC369BTRF-E Renesas Electronics America SC-79,SOD-523 DIODE VCO VAR CAP 15V UFP 电容@ Vr, F:2.15pF @ 4V,1MHz 电容比:2.3 电容比条件...
HVC375BTRF Renesas Electronics America SC-79,SOD-523 DIODE VCO VARIABLE CAP 10V 2UFP 电容@ Vr, F:4pF @ 4V,1MHz 电容比:4 电容比条件:C1/C...
HVCB0603FDC50M0 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES HV 50M OHM 1% 50PPM 0603 电阻(欧姆):50M 功率(瓦特):0.06W 复合体:厚膜 特点:高电压,脉冲...
HVC355BTRF Renesas Electronics America SC-79,SOD-523 DIODE VCO VARIABLE CAP 15V 2UFP 电容@ Vr, F:2.95pF @ 4V,1MHz 电容比:2.2 电容比条件...
HVC316TRU-E Renesas Electronics America SC-79,SOD-523 DIODE VARICAP BS/CS TUNER UFP 电容@ Vr, F:0.76pF @ 25V,1MHz 电容比:9 电容比条件:...
HVC2512Z5006JET Ohmite 2512(6432 公制) 500 RES HV 500M OHM 1W 5% 2512 电阻(欧姆):500M 功率(瓦特):1W 复合体:厚膜 特点:- 温度系数:&...

HVC358BTRF-E参数资料


电容@ Vr, F:9.3pF @ 4V,1MHz
电容比:2.2
电容比条件:C1/C4
电压 - 峰值反向(最大):15V
二极管类型:单一
在 Vr、F 时的 Q 值:-
安装类型:表面贴装

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