收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HUFA76609D3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HUFA76609D3

Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与HUFA76609D3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HUFA76609D3S Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUFA76609D3ST Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUFA76609D3ST_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUFA76504DK8T Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN 80V 2.3A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
HUFA76445S3ST Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUFA76445S3S Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

HUFA76609D3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):425pF @ 25V
功率 - 最大值:49W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别