收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HUFA75639S3S
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HUFA75639S3S

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与HUFA75639S3S相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HUFA75639S3ST Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
HUFA75645P3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUFA75645S3S Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUFA75639P3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
HUFA75639G3 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 100V 56A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
HUFA75637S3ST Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

HUFA75639S3S参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):56A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 56A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):130nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2000pF @ 25V
功率 - 最大值:200W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别