收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HUF76629D3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HUF76629D3

Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
参考包装数量:1800
参考包装形式:管件

与HUF76629D3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HUF76629D3S Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 20A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76629D3ST Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+27500 MOSFET N-CH 100V 20A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76633P3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76619D3ST Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 18A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76619D3S Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 18A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76609D3ST Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500+5000 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

HUF76629D3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1285pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别