收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HUF75842S3ST
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HUF75842S3ST

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与HUF75842S3ST相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HUF75852G3 Fairchild Semiconductor TO-247-3 296 MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF75925D3ST Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 11A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF75939P3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 22A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF75842S3S Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF75842P3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+800 MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF75831SK8T Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

HUF75842S3ST参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):43A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):42 毫欧 @ 43A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):175nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2730pF @ 25V
功率 - 最大值:230W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别