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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HCT7000M
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HCT7000M

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简述:MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
参考包装数量:25
参考包装形式:散装

与HCT7000M相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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HCT7000MTXV TT Electronics/Optek Technology 3.18mm x 2.67mm x 1.37mm MOSFET N-CH 60V 200MA SMD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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HCSS-16-D-04.00-01-G Samtec Inc CONN SOCKET IDC DUAL 32 POS ...

HCT7000M参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 25V
功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装

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