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HAT2279N-EL-E

Renesas Electronics America 8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
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简述:MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HAT400-S LEM USA Inc 模块 CURRENT TRANSDUCERS 400A 15V 电流 - 感应:400A 精确度:±1% 灵敏度:- 电流 - 电...
HAT500-S LEM USA Inc 模块 CURRENT TRANSDUCERS 500A 15V 电流 - 感应:500A 精确度:±1% 灵敏度:- 电流 - 电...
HAT600-S LEM USA Inc 模块 CURRENT TRANSDUCERS 600A 15V 电流 - 感应:600A 精确度:±1% 灵敏度:- 电流 - 电...
HAT2279H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2267H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2266H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

HAT2279N-EL-E参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.3 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3520pF @ 10V
功率 - 最大值:25W
安装类型:表面贴装

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