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HAT2261H-EL-E

Renesas Electronics America SC-100,SOT-669
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简述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HAT2265H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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HAT2261H-EL-E参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):45A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 22.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4400pF @ 10V
功率 - 最大值:25W
安装类型:表面贴装

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