| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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HAT2173N |
Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| HAT2173N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| HAT2174H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| HAT2174H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| HAT2173H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| HAT2173H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| HAT2172N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
