收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HAT2160H-EL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HAT2160H-EL-E

Renesas Electronics America SC-100,SOT-669
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与HAT2160H-EL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HAT2160N-EL-E Renesas Electronics America 8-PowerSOIC(0.156",3.95mm) MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
HAT2164H Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2164H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2160H Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2143H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 40A 5LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
HAT2141H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

HAT2160H-EL-E参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):54nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7750pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别