| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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HAT2096H-EL-E |
Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 7500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| HAT2099H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| HAT2116H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| HAT2129H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| HAT2092R-EL-E | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| HAT2088R-EL-E | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| HAT2038R-EL-E | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 5A 8SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
