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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > GWM220-004P3-SL
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GWM220-004P3-SL

IXYS 17-SMD,扁平引线 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
参考包装数量:36
参考包装形式:管件

与GWM220-004P3-SL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
GWM220-004P3-SLSAM IXYS 17-SMD,扁平引线 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM220-004P3-SMD IXYS 18-SMD,非标准型 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM220-004P3-SMDSAM IXYS 18-SMD,非标准型 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM160-0055X1-SMDSAM IXYS 18-SMD,非标准型 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM160-0055X1-SMD IXYS 18-SMD,非标准型 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS 17-SMD,扁平引线 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...

GWM220-004P3-SL参数资料

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FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

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