收藏本站

首页 > 电路保护 > TVS - 二极管 > GSOT12C-GS08
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

GSOT12C-GS08

Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 55043
询价QQ:
简述:DIODE ESD 2LINE 12V SOT23
参考包装数量:1
参考包装形式:

与GSOT12C-GS08相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
GSOT12C-HT3-GS08 Vishay Semiconductors 3-WDFN DIODE ESD 2LINE 12V LLP75-3B 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿:13.5V 功率 (W):...
GSOT12-GS08 Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000 DIODE ESD 1LINE 12V SOT23 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿:13.5V 功率 (W):...
GSOT12-HT3-GS08 Vishay Semiconductors 3-WDFN 3 DIODE ESD 1LINE 12V LLP75-3B 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿:13.5V 功率 (W):...
GSOT08-HT3-GS08 Vishay Semiconductors 3-WDFN DIODE ESD 1LINE 8V LLP75-3B 电压 - 反向关态(典型值):8V 电压 - 击穿:9V 功率 (W):345W...
GSOT08-GS08 Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ESD 1LINE 8V SOT23 电压 - 反向关态(典型值):8V 电压 - 击穿:9V 功率 (W):345W...
GSOT08C-HT3-GS08 Vishay Semiconductors 3-WDFN DIODE ESD 2LINE 8V LLP75 电压 - 反向关态(典型值):8V 电压 - 击穿:9V 功率 (W):345W...

GSOT12C-GS08参数资料

PDF资料下载:

电压 - 反向关态(典型值):12V
电压 - 击穿:13.5V
功率 (W):312W
极化:2 通道阵列 - 单向
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别