| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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GL12-HT3-GS08 |
Vishay Semiconductors | 3-WDFN | 询价QQ： |
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| 简述：DIODE ESD LOW CAP 12V LLP75-3B 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| GL12T-GS08 | Vishay Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | DIODE ESD LOW CAP 12V SOT23 | 电压 - 反向关态（典型值）：12V 电压 - 击穿：13.3V 功率 (W)：... | |
| GL15-HT3-GS08 | Vishay Semiconductors | 3-WDFN | DIODE ESD LOW CAP 15V LLP75-3B | 电压 - 反向关态（典型值）：15V 电压 - 击穿：16.7V 功率 (W)：... | |
| GL15T-GS08 | Vishay Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 12000 | DIODE ESD LOW CAP 15V SOT23 | 电压 - 反向关态（典型值）：15V 电压 - 击穿：16.7V 功率 (W)：... |
| GL110KA7B115 | AVX Corporation | 非标准 | 97 | INDUCTOR BROADBAND 11UH | 类型：铁粉芯 电感：11µH 额定电流：115mA 电流 - 饱和：... |
| GL100MN3MP1 | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | EMITTER IR 940NM HP 6.0MW SMD | 电流 - DC 正向(If)：50mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：- 波... | |
| GL100MN3MP | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | EMITTER IR 940NM HP 6.0MW SMD | 电流 - DC 正向(If)：50mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：- 波... |
