收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > FSBCW30
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FSBCW30

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:TRANSISTOR PNP 32V 500MA SSOT-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FSBCW30相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FSBF10CH60B Fairchild Semiconductor SPM27JA 50+360 MODULE SPM 600V 10A 3PH SPM27-JA 类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压 - 隔离:25...
FSBF10CH60BT Fairchild Semiconductor SPM27JA MODULE SPM 600V 10A 3PH SPM27-JA 类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压 - 隔离:25...
FSBF10CH60BTL Fairchild Semiconductor SPM27-JB 60 MODULE SPM 600V 10A 3PH SPM27-JB 类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压 - 隔离:25...
FSBB30CH60F Fairchild Semiconductor SPM27EA 0+4020 IC SMART PWR MODULE SPM27-EA 类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:600V 电压 - 隔离:25...
FSBB30CH60C Fairchild Semiconductor SPM27CC 41 MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC 类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:600V 电压 - 隔离:25...
FSBB30CH60B Fairchild Semiconductor SPM27EC MODULE SPM 600V 30A 3PH SPM27-EC 类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:600V 电压 - 隔离:25...

FSBCW30参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):215 @ 2mA,5V
功率 - 最大:500mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别