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FS200R07A1E3

Infineon Technologies 模块
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简述:IGBT 650V 250A 790W
参考包装数量:4
参考包装形式:

与FS200R07A1E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FS20-100-10-1.700 Vishay Huntington Electric Inc. 径向 RES 100 OHM 20W 5% WW RAD 电阻(欧姆):100 功率(瓦特):20W 复合体:绕线 特点:- 温度系数:&...
FS20-100-5 Vishay Huntington Electric Inc. 径向 97 RES 100 OHM 20W 5% WW RAD 电阻(欧姆):100 功率(瓦特):20W 复合体:绕线 特点:- 温度系数:&...
FS20-10-5 Vishay Huntington Electric Inc. 径向 100 RES 10 OHM 20W 5% WW RAD 电阻(欧姆):10 功率(瓦特):20W 复合体:绕线 特点:- 温度系数:&p...
FS2009USB(STD) Equinox Technologies 6 ISP PORTABLE PROGRAMMER USB ...
FS2009USB(AVR-JTAG) Equinox Technologies 2 ISP PROGRAMMER AVR JTAG ...
FS2009USB(ARM) Equinox Technologies 5 ISP PROGRAMMER ARM JTAG ...

FS200R07A1E3参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
配置:三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,200A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):250A
电流 - 集电极截止(最大):1mA
Vce 时的输入电容 (Cies):13nF @ 25V
功率 - 最大:790W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:表面贴装

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