收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQU4P25TU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQU4P25TU

Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
参考包装数量:70
参考包装形式:管件

与FQU4P25TU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQU5N40TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU5N50CTU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 500V 4A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU5N50TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU4N50TU_WS Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU4N50TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU4N25TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 250V 3A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQU4P25TU参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.1 欧姆 @ 1.55A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):420pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别