收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQU1N60TU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQU1N60TU

Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
参考包装数量:5040
参考包装形式:管件

与FQU1N60TU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQU1N80TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 800V 1A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU20N06LTU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 3627+15120 MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQU20N06TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU1N60CTU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 3156 MOSFET N-CH 600V 1A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU1N50TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU17P06TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 8270 MOSFET P-CH 60V 12A IPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQU1N60TU参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别