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FQT7N10LTF

Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 194490
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简述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
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与FQT7N10LTF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQT7N10TF Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 140000 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU10N20CTU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 0+5040 MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQU10N20LTU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQT5P10TF Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 4000 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQT4N25TF Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 4000 MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQT4N20TF Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQT7N10LTF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 850mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

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