| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FQT3P20TF |
Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FQT3P20TF_SB82100 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQT4N20LTF | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 5885 | MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQT4N20TF | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQT2P25TF | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQT1N80TF_WS | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQT1N60CTF_WS | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 16000 | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
