收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQPF8N60CT
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQPF8N60CT

Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQPF8N60CT相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQPF8N60CYDTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 0+800 MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF8N80C Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 1049 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF8N80CYDTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 全封装,成形引线 1297 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF8N60CFT Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 0+1000 MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF8N60C Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF85N06 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 798 MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQPF8N60CT参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1255pF @ 25V
功率 - 最大值:48W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别