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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQPF7N20L
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FQPF7N20L

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简述:MOSFET N-CH 200V 5A TO-220F
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与FQPF7N20L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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FQPF7N20L参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):500pF @ 25V
功率 - 最大值:37W
安装类型:通孔

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