收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQPF3N50C
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQPF3N50C

Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQPF3N50C相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQPF3N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF3N80 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF3N80C Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 2501 MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF3N40 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 400V 1.6A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF3N30 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 300V 1.95A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF3N25 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQPF3N50C参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):365pF @ 25V
功率 - 最大值:25W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别